Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2015-03-31 |
タイトル |
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タイトル |
Thick (~1um) p-type InxGa1?x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C) |
言語 |
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言語 |
eng |
キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
annealing |
キーワード |
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Other |
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主題 |
doping |
キーワード |
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Other |
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主題 |
InGaN |
キーワード |
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Other |
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主題 |
magnesium |
キーワード |
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Other |
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主題 |
MOVPE |
キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
phase separation |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_1843 |
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資源タイプ |
other |
著者 |
Yamamoto, A.
Hasan, Md. T.
Kodama, K.
Shigekawa, N.
Kuzuhara, M.
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抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
This paper reports the post-growth annealing effects of low-temperature grown Mg-doped InGaN. By using MOVPE, 1?μm-thick Mg-doped InxGa1?xN (x?~?0.36) films are grown at 570?°C. In order to activate the Mg acceptors, grown samples are treated by the conventional furnace annealing (FA) or the rapid thermal annealing (RTA). In the case of the FA at 650?°C for 20?min, the InGaN film is phase-separated. On the other hand, the RTA at a temperature higher than 700?°C enables us to get p-type samples. By using the RTA at 850 for 20?s, p-type samples with a hole concentration 1018?1019?cm?3 are successfully obtained without phase separation. |
書誌情報 |
Physica Status Solidi (b)
巻 2015,
p. 1-4,
発行日 2015-02
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出版者 |
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出版者 |
Wiley-VCH Verlag |
ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
3701972 |
書誌レコードID |
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識別子タイプ |
NCID |
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関連識別子 |
TD00006760 |
DOI |
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関連タイプ |
isVersionOf |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1002/pssb.201451736 |
著者版フラグ |
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出版タイプ |
AO |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce |